Toshiba создала модуль памяти NAND с рекордной емкостью в 64 ГБ

17 декабря 2009 \| Просмотров: 2183
Компания Toshiba объявила о создании модуля встраиваемой флеш-памяти типа NAND, рекордная емкость которого составляет 64 ГБ. Серийное производство модулей начнется в I квартале 2010 года. В Toshiba отметили, что такая память будет востребована в портативных устройствах: смартфонах, нетбуках, цифровых камерах и т. п. В модуле объединены 16 чипов NAND (плотность каждого — 32 Гбит), изготовленных по 32-нанометровому процессу, а также специальный контроллер. Толщина чипов составляет всего 30 мкм. Скорость чтения может достигать 37 МБ/с, а записи — 20 МБ/с. Помимо 64-гигабайтной версии в новую линейку флеш-памяти типа NAND вошли модули объемом 2, 4, 8, 16 и 32 ГБ. До сих пор максимальный объем подобных устройств составлял 32 ГБ.