Samsung представила чипы мобильной памяти объемом 4 Гб

Текущий год принесёт на мобильный рынок устройства с 4 Гб оперативной памяти. Однако, Samsung не собирается оставаться на уровне компаний, которые «штампуют» девайсы по шаблону, и представила первый мобильный модуль DRAM памяти на 8 Гб.
Стоит отметить, что он выполнен по 20-нм техпроцессу, а в одном чипе имеется 1 Гб памяти.

Таким образом, четыре таких чипа образуют модуль LPDDR4 на 4 Гб. По всей видимости, в течение года будут представлены смартфоны и планшеты из сегмента hi-end с 4 Гб оперативной памяти, а ближе к 2015 году появятся первые мобильные устройства с 6 и 8 Гб ОЗУ.
В целом, стоит выделить два значительных достижения LPDDR4в сравнении с LPDDR3 DRAM: повышение производительности на 50% и снижение энергопотребления на 40% при напряжении в 1.1В.

Кроме того, интерфейс Low Voltage Swing Terminated Logic (LVSTL) I/O позволяет передавать данные на скорости до 3200 Мбит/с.
Подводя итог, констатируем, что ещё одна ступенька к стиранию границы между мобильными устройствами и ПК практически преодолена.